IGBT的质量决定着整车的能源效率，对电导率和热导率要求比较高，氮化硅陶瓷基板以其独特的性能在IGBT模块封装中占据优势地位，逐步替代其他基板。

  氮化硅陶瓷是一种由硅和氮元素合成的氮化硅粉体添加少量氧化物和稀土烧结而成的氮化硅陶瓷片。基板是是电力电子器件构成的关键材料之一，基本功能是绝缘和散热，随着智能化科技的持续不断的发展，电力电子器件的功能逐渐变得复杂，对电力电子器件的电控与功率转化等性能要求逐步的提升，普通基板已经没办法满足其要求，陶瓷基板应运而生。

  目前我国市场上的陶瓷材料有氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。其中氮化硅陶瓷基板具有硬度高、耐高温、热稳定性能好、耐损耗等性能优势，应用场景较为丰富，是最有发展前途的材料。

  近年来，随着国民对环保和节能的呼声高涨，新能源汽车销量持续不断的增加，产业持续不断的发展。根据中汽协会的多个方面数据显示，2021年我们国家新能源汽车产销分别达到354．5万辆和352．1万辆，同比增长均为1．6倍，增速达到了2016年以来的顶配水平。在新能源汽车产业的持续不断的发展背景下，汽车零部件行业也随之加快速度进行发展。其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是新能源汽车除电池以外的第二大重要元件，是电机驱动部分的核心。

  IGBT的质量决定着整车的能源效率，对电导率和热导率要求比较高，氮化硅陶瓷基板以其独特的性能在IGBT模块封装中占据优势地位，逐步替代其他基板。未来随着新能源汽车市场规模逐步扩大，氮化硅陶瓷基板还有很大的发展空间，潜力巨大。

  氮化硅陶瓷基板综合性能高，但研发难度大，行业准入门槛较高。根据新思界产业研究中心发布的《2022－2027年中国氮化硅陶瓷基板行业市场深度调研及发展前途预测报告》显示，国外氮化硅陶瓷电路基板行业已逐渐步入发展成熟期，产品技术水平较高，国内IGBT封装材料所需的高导热率氮化硅陶瓷基板主要依赖于进口。

  我国科研单位及企业还在积极研发有关技术，国内市场上应用的氮化硅陶瓷基板与国外相比还存在比较大的差距。采用氮化硅陶瓷作为基板，能够有效确保电路板的安全可靠性，随着5G时代持续不断的发展，航天航空、轨道交通、电动汽车、光伏逆变、智能电网等多种场景都需要氮化硅陶瓷基板的应用，未来行业成长空间巨大。

  新思界产业分析人员表示，氮化硅陶瓷材料是目前世界上兼具高导热性、高可靠性的综合性能最好的陶瓷基板材料，同时还是第三代大功率半导体器件的配套材料。氮化硅陶瓷基板行业必将是关系国家科技战略发展的重要部分，未来随国家智能化信息技术的持续不断的发展，氮化硅陶瓷基板研发力度将不断加大，发展的潜在能力巨大，有望成为新的市场热点。