在电子元件向小型化、高密度、高频率开展的今日，散热成为影响电子设备寿数与功能的要害因素。

  近年来，氮化铝陶瓷基板渐渐的变成为电子器件中的中心散热载体，该产品热导率高于氧化铝10倍，耐热功可以到达2200℃。但放眼全球，氮化铝陶瓷基板出产会集在美、日、英等国，国内厂商技能开展受限。

  现在，一支来自武汉理工大学的博士团队霸占了氮化铝陶瓷基板制备难题，打破国外独占格式，完结产品热导率达250W/(m·K)，比肩世界水平，为我国集成电路、新能源轿车等高端工业高质量开展供给了自主可控的资料解决方案。现在，该项目已取得多家国资基金出资。

  近来，在长江工业集团举行的长江博士创业大赛现场，芯中达资料创始人、CEO刘志哲共享了公司的技能特色和开展前景。

  近年来，氮化铝陶瓷基板因高热导、耐高温、电功能优秀等特性，成为电子设备热办理的中心资料，大范围的使用于IGBT模块、集成电路、航空航天、新能源轿车等要害范畴。

  数据显现，2025年全球氮化铝陶瓷商场规模将挨近2000亿元，我国商场规模500亿元，但该产品国产化率仅4%，高端产品长时间被国外独占，国内厂商面对功能缺乏、量产困难、国外出口约束的“三难”窘境。

  刘志哲介绍，芯中达自2023年建立以来，聚集高热导率氮化铝陶瓷基板研制，针对浆料调控对立多、生坯脱脂缺点多、高温烧结翘曲多的 “三多”技能瓶颈，构建了全链条解决方案。

  “公司创始陶瓷浆料 ‘双塑性剂系统’，使精准协同流延功率提高150%，完结80mm至120mm大尺度生坯无裂纹、无气泡脱脂。”刘志哲介绍，公司经过优化烧结工艺，下降烧结温度并加快晶格氧分出，最终使产品热导率打破 250W/(m・K)，比肩日本古河等世界顶尖品牌，远超国内的平均水平。

  在功能指标上，芯中达产品热线胀系数与半导体资料匹配，介电强度、抗弯强度等均有显着提高。

  凭仗技能优势，现在，公司产品已成功切入功率半导体、显现、LED 封装、航空航天、新能源轿车等多个使用场景，与多家企业达到协作，签约订单金额过千万元，商场反应杰出。

  “芯中达创建主要是根据两点，一是武汉理工大学在先进陶瓷范畴的学科沉淀，也是咱们创建此公司的底气和根底，二是武汉的集成电路和光电子工业强壮的工业需求。”刘志哲介绍。

  刘志哲为武汉理工大学博士后、英国威尔士三一圣大卫大学联合培育陶瓷博士，深耕陶瓷范畴十余年，2019年归国后聚集先进陶瓷工业化探究，带领团队完结多项中心技能打破。

  芯中达资料小组成员多来自武汉理工大学，包括资料科学、精细工学、智能操控等多个专业，形成了多学科穿插交融的研制系统。研制主干有我国博士后科学基金取得者，中心研制人员掌管或参加多项国家级科研项目。团队累计取得我国世界大学生立异大赛金奖、第十届“创芳华”我国青年立异创业大赛金奖等省部级及国家级奖项30余项，中心技能已请求9项国家发明专利。

  现在，公司取得江夏科投、江城基金等国资基金近千万元天使轮出资，并在武汉市江夏智能制作工业园建成完好量产线，可出产陶瓷基板、精细结构件及大型陶瓷件等产品。

  “站在长江博士创业大赛的舞台上面，面向老练的出资组织进行路演，对咱们很重要。”刘志哲表明，在博士大赛后，已有创投组织到公司实地造访，也表达了出资意向。

  刘志哲方案，下一年将聚集产品中试量产与要点客户拓宽，2027-2028年完结工业链协同出产，推进氮化铝陶瓷工业从国产化代替迈向工业出海。