中瓷电子是国内电子陶瓷材料核心供应商。中瓷电子成立于 2009 年，公司主要的发起 人为中国电科十三所。中国电科十三所从事半导体研究，中瓷电子从事电子陶瓷系列研 究、销售。2020 年，中瓷电子上市，投入消费电子陶瓷产品生产线建设项目、电子陶瓷产 品研发中心建设项目。 中瓷电子是国内少数具备高端电子陶瓷外壳全链条自主技术的企业，掌握氧化铝、氮 化铝等核心陶瓷材料体系及多层陶瓷高温共烧工艺，助力国内光通信器件陶瓷外壳国产 化，产品性能达到国际水平。

  并购重组，拓展第三代半导体业务。2023 年，公司完成重大资产重组。公司以 38 亿 收购博威公司 73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务，国联万众 94.60%股权。 博威公司主要收入为销售氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片 与器件、别的产品销售业务收入及别的业务收入。博威公司产品大多数都用在 5G 通信基站及 点对点通信的信号发射与接收。目前，公司在氮化镓基站功放领域市场占有率国内第一， 产品技术与质量均达到国内领先水平。2023 年，博威公司实现收入 12.51 亿元，净利润 2.71 亿元。 国联万众主要收入为主营业务的销售氮化镓通信基站射频芯片产品、碳化硅功率模块 产品。国联万众的碳化硅功率模块已批量应用于比亚迪等新能源汽车，推动公司在第三代 半导体领域的多元化布局。2023 年，国联万众实现收入 1.95 亿元，净利润 1862 万元。 2024 年，公司以支付现金的方式收购国联之芯持有的国联万众 5.40%股权，实现对国联万 众 100%控股。中瓷电子在 2024 年底将氮化镓通信基站射频芯片业务划转至全资子公司国联万众。

  中瓷电子背靠中电科十三所和中国电科集团。根据 wind，中国电科十三所持有公司 54.41%股份，为公司控制股权的人。中国电科十三所成立于 1956 年，是我国顶级规模、历史最 悠久的综合性半导体研究所之一，涵盖微电子、光电子、半导体高端传感器、光机电集成 微系统、微机械电子系统等五大领域，拥有完整的半导体产业链技术储备。 中国电科集团是我国电子信息领域的“国家队”，旗下拥有多家科研院所及上市公司， 中瓷电子作为其半导体材料与器件板块的重要载体，承担国产替代与技术突破任务。

  “电子陶瓷+第三代半导体”双轮驱动，国产替代标杆。中瓷电子以电子陶瓷为基 石，通过技术深耕与战略并购，成功拓展至第三代半导体领域，形成“电子陶瓷+半导体器 件”双轮驱动的业务格局。其技术自主性、全产业链能力及市场领导地位，使其成为国产替 代与科学技术创新的标杆企业。 电子陶瓷材料是公司核心业务，应用在通信、工业激光、消费电子、汽车电子等多领 域，其中通信和消费电子是公司主要收入来源。 （1） 通信领域：大多数都用在光模块器件的外壳。公司光通信器件外壳包括 Butterfly 外壳、TOSA 外壳、ROSA 外壳、光接收组件外壳、光开关外壳等，传输速率 覆盖 10G/25G/40G/100G/400G/800G。公司已可以设计开发 800Gbps 光通信 器件外壳，与国外同种类型的产品技术水平相当。2022 年，通信器件用电子陶瓷外 壳收入 9.46 亿元，收入占比 72%。 （2） 消费电子：公司陆续开发了声表晶振类外壳、3D 光传感器模块外壳、 5G 通 信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板等消费电子领域的陶瓷产品，技术方面使 用公司已具有独立知识产权的多层陶瓷封装产品技术，相关这类的产品技术指标 与 国外同种类型的产品相当。2022 年，消费电子陶瓷外壳及基板收入 2.00 亿元，占 比 15%。 （3） 工业激光：公司开发的大功率激光器外壳产品已经覆盖 10W-300W 光纤耦合 的半导体激光器外壳，产品高引线强度高且为气密封装，电性能、可靠 性达 到国际水平，在国内大功率光纤激光器外壳市场中占有率高。 （4） 汽车电子：产品最重要的包含陶瓷元件、加热器、电路模块等。在汽车电子领 域， 公司开展了有代表性的功能陶瓷元件—微波介质陶瓷谐振器及相关材 料的研究，已具备完整的制造工艺。 （5） 精密陶瓷零部件：已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精 密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国 际同种类型的产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，2023 年 精密陶瓷零部件出售的收益同比有大幅增长。

  第三代半导体主要可大致分为氮化镓和碳化硅两种应用场景： （1） 氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中大多数都用在移动通信基站发射 链路，实现对通信射频信号的功率放大， 根据应用场景不同，氮化镓通信基 站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和 MIMO 基站氮化 镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要使用在于点对点通信 数据无线） 碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列新产品在 技术参数、制造成本等方面的有明显的 竞争优势，中低压碳化硅功率产品主 要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产 品瞄准 智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基 IGBT 功率 产品的覆盖与替代。

  内生+外延并举，公司有望进入新的成长周期。 2016-2021 年，公司营收 CAGR 为 34%，归母净利润 CAGR 为 35%。公司受益于 5G 通信建设周期，对接华为和中兴等核心客户，重点产品通信器件用电子陶瓷外壳，销售快 速成长。2023 年，公司实现重大资产重组，完成了对博威公司和国联万众的股权收购，实 现并表。2023 年，公司实现营收 26.76 亿元，可比口径下，同比+7%；实现归母净利润 4.90 亿元，可比口径下同比+7%。 2024 年，受制于国内外 5G 建设投资放缓，公司收入表现平稳，新产品放量利润回 升。2024H1，公司实现收入 12.22 亿元，同比-2%；归母净利润 2.12 亿元，同比-6%。分业 务来看，电子陶瓷材料及元件收入同比-12%，第三代半导体器件及模块收入同比-2%。利 润增速低于收入，主要原因是，受原材料上涨影响，电子陶瓷产品毛利率有所承压。24 年 前三季度，公司实现营业收入 18.86 亿元，同比-1.09%，归母净利润 3.69 亿元，同比 +7.48%。

  原材料上涨致使电子陶瓷毛利率短期有所承压，新产品放量助力盈利能力回暖。因 此，24H1 公司整体毛利率为 33.41%，同比+0.21pct；其中电子陶瓷产品毛利率 23.40%， 同比-5.20pct，主要受制于原材料价格上涨；第三代半导体毛利率 33.00%，同比+9.68pct。

  从收入结构来看，电子陶瓷和第三代半导体收入体量相近。2023 年，电子陶瓷材料及 元件收入 18.55 亿元，占总营收的 69%；第三代半导体收入 14.46 亿元，占总营收比重 54%。其中，由于第三代半导体芯片（氮化镓射频芯片等）采用了陶瓷外壳封装，因此产 生部分内部抵消，23 年内部抵消金额为 6.25 亿元。

  我们认为，24 年公司受国内外 5G 通信投资放缓影响以及原材料上涨影响，电子陶瓷 和第三代半导体（射频芯片）收入及利润率短期承压。 展望后续，公司电子陶瓷产品有望实现放量，收入、盈利有望迎来拐点机会。其中， 高端光通信器件外壳，有望受益于国内外 AI 产业链发展，产能逐渐释放；高毛利的精密 陶瓷零部件实现“0-1”突破，进一步贡献利润并提振估值。第三代半导体产品有望受益于 智驾平权和国产化进程。同时，新产品放量将带动毛利率上升，盈利能力有望改善。

  电子陶瓷可应用于通信、消费电子、工业激光、汽车电子等多领域。电子陶瓷产业的 上游包括电子陶瓷基础粉、配方粉、金属材料、化工材料等；中游是电子陶瓷，主要包括： 半导体陶瓷、绝缘装置陶瓷、介电陶瓷、铁电陶瓷和离子陶瓷。电子陶瓷的下游主要是电 子元器件，最终应用于终端产品，其应用领域非常广阔，包括光通信、无线通信、工业激 光、消费电子、汽车电子等。

  中国电子陶瓷市场规模达千亿，国产化率仅 23%左右。根据中商产业研究院，预计 2022 年中国电子陶瓷市场规模达 998 亿元，主要得益于下游消费电子、光纤通信、国防军 工等领域的稳健发展。

  电子陶瓷上游原材料：全球超过 70%的 MLCC 陶瓷粉材料由日本厂商垄断。电子陶 瓷粉体是制造陶瓷元器件最主要的原料，其核心要求在于纯度、颗粒大小和形状等。目前 国际上最新的陶瓷粉体制备技术是超高温技术，日本在超高温技术方面占据全球领先地 位。我国电子陶瓷急需的粉体主要依赖进口。以片式多层陶瓷电容器陶瓷粉体材料为例， 其生产全球集中度较高。据《中国石油和化工经济分析》报道，全球超过 70%的 MLCC 陶 瓷粉体材料由日本企业垄断。日本堺化学（Sakai）是全球最大的电子陶瓷粉体材料生产厂 商，美国 Ferro 及日本化学 NCI 分别列第 2 和第 3 位。 21 年，电子陶瓷材料的国产化率仅 23%左右，主要市场仍被日本、美国企业占据。与 日本、美国电子陶瓷企业相比，我国电子陶瓷在生产规模、产品档次和技术水平方面仍然 存在一定差距，中低端产品居多，附加值较低、很多电子整机中技术含量高的陶瓷元件仍 然依赖进口。

  日本京瓷、日本村田、美国 Ferro 占据约 7 成份额。从全球竞争格局来看，全球电子 陶瓷市场呈现三超多强格局，国产化空间广阔。其中日本村田、美国 Ferro 以及日本京瓷 2021 年市场份额占比分别为 23.9%、23.3%以及 19.3%，CR3 份额为 67%。电子陶瓷材料国 产替代的空间巨大。

  通信市场是电子陶瓷的主要下游市场之一，光模块陶瓷外壳是主要使用在场景。光模块 应用场景包括电信和数通两大市场，近年数通市场份额已超越电信市场，将成为未来主要 增长点。数通市场：企业数据中心与互联网数据中心的主机房内放置大量网络交换机、服 务器群等，它们是综合布线和信息化网络设备的核心，也是信息网络系统的数据汇聚中 心。服务器间的连接、交换机间的连接、服务器与交换机间的连接就需要使用光模块、光 纤等传输载体来实现数据的互通。电信市场：主要应用于基站/PON/WDM/OTN/交换机/路 由器等设备，包括移动通信、固网接入以及主干网等细分。

  400G/800G 光模块需求加速爆发。随着全球数据流量的急剧增长，高性能 AI 服务器集 群加快建设，高端光模块的需求量大幅攀升，其中云服务巨头对于高速率光模块的迫切需 求成为主要驱动力。根据 LightCounting 数据，以 400G、800G 为代表的高速光模块将加速 出货，100G/200G 光模块销售端走弱，呈现高端光模块导入替代。

  光模块产业链上游主要由光电芯片和光器件构成，下游客户包括光通信设备商和应用 内容厂商。上游：光芯片与陶瓷套管、陶瓷插芯、光纤适配器等其他基础元器件共同组合成光器件，可分为有源光器件和无源光器件，核心区别在于是否涉及光电转换。中游：光 模块由多种光器件、集成电路芯片、印制电路板、结构件等封装而成。下游：光通信设备 商将各类光模块集成到其光通信设备，和光纤光缆组成光纤通信系统网络，应用于下游的 电信市场、数通市场。

  电子陶瓷是高端光模块封装的优选材料。光通信器件封装可分为同轴封装结构和盒式 封装结构，封装管壳有 TO 管壳、表面贴装管壳、TOSA、ROSA、蝶形管壳、带有射频连 接器管壳等。典型的封装管壳由基底、密封环、电通路以及尾纤导管等部分构成，为内部 芯片和电路提供了机械和环境保护，并且要求这些部件的热膨胀系数相匹配，以便保证整 个工作温度范围内壳体密封性能的可靠性。电子陶瓷封装外壳是高端半导体元器件中实现 内部芯片与外部电路连接的重要桥梁，对半导体元器件性能具有重要作用和影响。

  光模块外壳成本占比约为 4%。从结构上看，光模块由光器件、功能电路和光电接口 等构成，其中光器件是光模块的关键元件，包括激光器（光发射组件，TOSA）和探测器 （光接收组件，ROSA），分别实现光模块在发射端将电信号转换成光信号，以及在接收端 将光信号转换成电信号的功能。从成本构成上看，中端光模块中，光器件成本占比约 73%， 其中激光器和探测器成本占光器件成本比重约 80%，光模块外壳的成本占比约 4%。

  中瓷电子是国内领先的电子陶瓷供应商，国产替代主力军。公司始终专注于电子陶瓷 领域，深耕多年，具备了电子陶瓷和金属化体系关键核心材料、半导体外壳设计仿真技术、 多层陶瓷高温共烧关键技术三大核心技术领域的自主知识产权，开创了我国光通信器件陶 瓷外壳产品领域，打破了国外行业巨头的技术封锁和产品垄断，实现了光通信器件陶瓷外 壳产品的进口替代， 并广销国际市场。 2024H1，公司电子陶瓷业务收入同比下降 2%，我们判断根本原因是运营商资本开支 下行，导致电信市场需求疲软。我们认为，未来两到三年，公司 400G/800G 等高端产品有 望放量。 2024 年光通信市场的繁荣给公司光通讯相关产品领域订单带来了一定增长。24 年上 半年公司氮化铝多层薄厚膜实现批量出货并实现高速增长，该类产品应用于 400G/800G 等 高频高速光模块中，应用于 AI 智能和数据中心等新场景。 1、 从需求来看：新易盛、光迅科技等为公司通信电子陶瓷的主要客户。根据公司招 股书，通信器件用电子陶瓷外壳的主要客户为新易盛、亚美斯通、光迅科技等。 2020 年 1-6 月，新易盛的销售额为 3345 万元，占同类产品营收比例为 13%，光迅 科技的销售额为 2224 万元，占同类产品营收比例为 8.50%。

  国内 400G/800G 有望放量，相关光模块厂商增长前景乐观。受益于 AI 产业爆发，对 于 400G/800G 光模块需求井喷，中际旭创、新易盛、天孚通信对接海外需求，率先实现了 业绩高速增长。而对于光迅科技、华工科技等光模块厂商，主要对接国内需求，增长前景 也趋于乐观。根据 wind 一致预期，光迅科技 24-26 年的收入增长预期分别为 34%、31%、 24%；华工科技 25-26 年的增长预期分别为 35%、20%。

  2、从技术来看：中瓷电子已经设计开发 800Gbps 光通信器件外壳，与国外同类产品 技术水平相当。根据公司在投资者交流平台披露，公司光通信器件外壳传输速率已覆盖 2.5G、10G、25G、100G、200G、400G、800G、1.6T，并均已实现量产。 3、从产能来看：24 年以来，产能持续扩充。公司正在积极投入电子陶瓷外壳项目的 产能建设。根据公司 2024 年中报，公司在建工程达 4.33 亿元，相比 23 年末的 1.94 亿元， 增加 2.39 亿元。增加的投资当中，1.74 亿元用于电子陶瓷外壳生产线建设项目。 需求侧国内高端光模块需求景气度提升，公司客户增长前景乐观。技术上公司已实现 800G光通信器件外壳量产，并且于国外产品技术相当。产能上，公司持续投入电子陶瓷外 壳生产线建设，产能将持续释放。综合以上，公司高端电子陶瓷产品有望实现放量，带动 公司业绩释放。

  精密陶瓷零部件作为半导体设备关键零部件之一，是指采用氧化铝、氮化铝等先进陶 瓷经精密加工后制备的半导体设备用核心零部件，具有高强度、耐腐蚀、高精度等优异性 能，应用于刻蚀机、涂胶显影机、光刻机、离子注入机等半导体关键设备中。最重要的包含陶 瓷环、手臂、真空吸盘、加热盘、静电卡盘等产品。 精密陶瓷零部件以下三方面满足严苛要求： （1） 先进陶瓷材料性能：必须满足半导 体设备对材料在机械力学、热、介电、耐酸碱和等离子体腐蚀等方面的综合性能要求。 （2）硬脆难加工材料精密加工：先进陶瓷材料属于硬脆难加工材料，半导体设备对零部件 的精度要求高，加工始终是陶瓷零部件在半导体设备应用的瓶颈之一。 （3） 加工后的新 品表面处理：由于半导体设备中陶瓷零部件通常紧密围绕着晶圆， 一些甚至直接接触晶 圆，因此对其表面金属离子和颗粒的控制极为严格，加工后的表 面处理是陶瓷零部件在半 导体设备中应用的关键技术之一。

  预计 2025 年中国先进结构陶瓷市场规模达 286 亿元。根据弗若斯特沙利文数据，2021 年全球先进陶瓷市场规模达到 3,818 亿元，其中先进结构陶瓷为 1,067 亿元，占比 28%；预 计 2022 年至 2026 年全球先进陶瓷市场规模复合增速为 4%。2021 年中国先进陶瓷市场规 模达到 890 亿元，约占全球市场的 23%；中国先进结构陶瓷市场规模为 189 亿元，占中国 先进陶瓷市场的 21%。弗若斯特沙利文预计 2022 年至 2026 年中国先进结构陶瓷市场规模 复合增速为 11%。

  从竞争格局来看， 2021 年半导体设备相关精密陶瓷零部件国产化率约 20%。中国先 进陶瓷市场起步较晚，根据弗若斯特沙利文数据，2015 年中国先进结构陶瓷国产化率仅约 为 5%，到 2021 年已提高至约 20%，行业多项产品不同程度上实现了国产替代。目前国内 晶圆厂所使用制造设备的先进结构陶瓷零部件国产化水平仍然较低，半导体领域的先进陶 瓷国产替代拥有巨大的市场空间。

  根据公司 2022 年年报，公司已实现静电卡盘、加热盘等精密零部件国产化。面向半 导体设备零部件国产化需求，公司持续开发陶瓷材料体系，利用成熟的制造工艺平台，实 现加热盘和静电卡盘等技术难度高的精密零部件国产化，解决国产半导体设备行业“卡脖 子”问题，拓展公司产品领域。

  根据公司 2023 年年报，公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发 了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶 瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产 半导体设备中，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。 静电卡盘广泛应用于 PVD、PECVD、EUVL、离子注入等半导体设备。陶瓷静电吸 盘是一种适用于真空环境或等离子环境的超洁净晶圆载体，利用静电吸附的原理，将超薄 晶圆均匀地夹持住。 2023 年全球半导体设备用陶瓷静电卡盘市场销售额 16.3 亿美元，2024-2030 年 CAGR 为 5.3%。根据 QYResearch，从区域来看，北美和亚太是静电卡盘的主要销售市场。按产品类型细分，库仑型处于主导地位，占据大约 68.7%的份额。按按应用设备细分，目前蚀 刻设备是最主要的需求来源，占据大约 44.5%的份额。 从竞争格局来看，QYResearch 显示，2021 年全球静电卡盘的市场基本被头部三家厂 商垄断，CR3 高达 85%。其中，Applied Materials 市占率达 44%，Lam Research 达 31%， Shinko 达 10.2%。

  精密电子陶瓷零部件盈利能力强，规模释放下毛利率接近 60%。珂玛科技是国内精密 陶瓷零部件的国产供应商之一。由于零部件产品具有显著的规模化效应，随着产品逐渐放 量，盈利能力将快速提升。2024 年，珂玛科技收入 8.57 亿元，同比+78%，归母净利润 3.11 亿元，同比+280%。从利润率水平来看，24 年珂玛科技的毛利率为 58%，同比 +19pct；净利率为 36%，同比+19pct。

  公司布局精密陶瓷零部件，面向半导体设备零部件国产化需求，发挥陶瓷材料技术优 势，已经完成了静电卡盘、陶瓷加热器等产品的国产化突破。并且，相关产品核心技术达 到国际水平，已批量应用于国产半导体设备中。随着公司静电卡盘、加热盘等精密陶瓷零 部件产品放量，盈利能力更强，在半导体设备国产化的浪潮下有望享受更高的估值。

  2023 年，公司进行重大资产重组，收购博威公司 73%股份、氮化镓通信基站射频芯片 业务、以及国联万众 94.6029%股份。2024 年公司收购国联万众剩余股份，实现 100%控股。 （1） 博威公司主要销售氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片 与器件。博威公司 23 年实际收入 12.51 亿元，净利润 2.71 亿元，利润高于公 司预测值。根据公司重大资产重组公告预测，24-26 年，博威公司收入分别同 比+5%、+3%、-2%；净利润分别同比+9%、+4%、-3%。 （2） 氮化镓通信基站射频芯片业务，23 年该业务实际收入 5.80 亿元，净利润 1.45 亿元，收入/利润均高于公司预测。根据公司重大资产重组公告预测，24-26 年，氮化镓通信基站射频芯片业务收入分别同比+6%、+4%、-2%；净利润分 别同比+7%、+4%、-3%。该业务于 2024 年无偿划转至国联万众。 （3） 国联万众主要销售氮化镓通信基站射频芯片产品、碳化硅功率模块产品等。国 联万众 23 年实际收入 1.95 亿元，归母净利润 0.19 亿元。根据公司重大资产重 组公告预测，24-26 年，国联万众收入分别同比+17%、+30%、+32%；净利润 分别同比+3%、+86%、+79%。

  博威公司是国内较大的微波电路生产制造商。公司主要产品包括，氮化镓通信基站射 频芯片与器件和微波点对点通信射频芯片。其中，氮化镓通信基站射频芯片与器件，主要 用于 5G 通信基站，具有高输出功率、高效率、高频率、大带宽等特性，是 4G/5G 移动通 信系统的核心微波射频器件。微波点对点通信射频芯片，适用于微波传输、卫星通信等领 域，满足高频、高可靠性需求。

  射频电子器件：5G 基站和国防是为主要应用场景，市场规模约 103 亿元。据 CASA Research 测算，2023 年 国内 GaN 射频器件模组市场规模为 102.9 亿元，较 2022 年同比增 长 16.2%。其中，无线基础设施是带动 GaN 射频电子市场增长的主要驱动力，市场规模约 为 59 亿元，整体市场占比达 57.3%；非民用的国防与航天应用 2023 年整体市场占比约 42.7%，其他为射频能量、卫星通信等市场。

  公司受益于射频芯片国产化。2023 年，国内 GaN 射频电子总产值达到 71.8 亿元，同 比增长 17%。国内从事 GaN 射频电子生产的主要是中电科 13 所（中瓷电子控股股东），中 电科 55 所，以及三安集成、海威华芯、苏州能讯等企业。由于国际贸易纷争， 华为、中 兴等基站供应商开始选择国产替代产品，目前 GaN 射频电子的国产化率已经超过 30%。博 威公司为国内氮化镓射频芯片的核心厂商之一，有望深度受益射频芯片国产化。 博威公司领先布局卫星通信、6G。博威公司氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目 涉及星链通信的子项目产品有 5G 毫米波、星链通信、6G 通信基站射频芯片与器件。公司 积极推进 5G-A、6G、星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件关键技术突破和研发 工作，目前公司在 5G-A、6G 和星链通信相关芯片与器件领域储备关键技术，根据用户需 求，稳步推进产品开发和验证工作。

  国联万众深耕碳化硅功率器件。国联万众现有的碳化硅功率模块包括 650V、1,200V 和 1,700V 等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟 攻关高压碳化硅功率模块领域，抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等 高压、 超高压领域抢占市场占有率，实现对 IGBT 功率模块的部分替代。

  功率电子器件市场约 153 亿元，高速成长，新能源汽车占比 70%+。据 CASA Research 统计，2023 年国内 SiC、GaN 功率器件模组市场规模约为 153.2 亿元，同比增长 45%。第三代半导体在功率电子领域渗透率超过 12%，开始进入高速增长阶段。国内市场 中，新能源汽车 （包括充电基础设施）是第三代半导体 功率电子最大的应用领域，整体市 场占比 70.67%。其次是消费类电源和 PFC，分别占比是 11.16%和 5.78%。 比亚迪推进“智驾平权”。2025 年 2 月 10 日，比亚迪推出 21 款智驾车型，宣布“天神 之眼”智驾系统将覆盖全系车型，从售价百万的仰望 U8 到 6.98 万元的海鸥智驾版，均实现 高速 NOA（领航辅助驾驶）功能标配。

  纯电动车功率半导体价值占比是传统燃油车的数倍。根据 Strategy Analytics 数据，在 传统燃油车中，MCU 价值占比最高为 23%，其次为功率半导体占 21%，传感器占比为 13%。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电 压和频率、直流交流转换等。在纯电动车型中，由于电动机和电控系统取代传统机械结构 的动力系统，使功率半导体用量大幅提升，占比达 55%，其次为 MCU 占 11%，传感器占 比为 7%。

  第三代半导体材料在电动车市场更具优势。电动化、网联化、智能化成为汽车产业发 展的潮流和趋势，对高频、高速计算、高速充电的需求持续提升，而硅和砷化镓的温度、 频率、功率等性能难以提高，因此具备高能效、低能耗等特征的碳化硅（SiC）和氮化镓 （GaN）半导体材料将逐步替代硅基器件成为市场主流。 SiC 半导体在中高端场景优势更明显，特别是需要高压、高能量密度的应用场景，如 充电桩、车载充电机及电驱系统等。GaN 器件主要以 GaN 晶体管为主，随着成本下降， GaN 器件有望在中低功率领域替代二极管、MOSFET 等硅基功率器件。 车企主要通过合资、自研、投资的方式布局第三代功率电子业务。比亚迪、蔚来通过 自研的方式建立第三代半导体功率电子产能。上汽、吉利、东风、理想等多数车企采取与 芯片厂建立合资公司或开展联合研发的方式布局第三代功率电子业务。

  国联万众合作比亚迪，扩产持续放量。公司主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源 逆变器等领域，未来拟攻关高压 SiC 功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢占市场占有率，实现对 IGBT 功率模块的部 分替代。国联万众的碳 SiC 功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要 客户的 认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。 国联万众 SiC 产品布局比较全面，供货量较大。国联万众现有的 SiC 功率模块包括 650V、1200V 和 1700V 等系列产品，未来拟攻关高压 SiC 功率模块领域。目前，国联万众 车规级 SiC MOSFET 模块已向国内一线车企稳定供货数百万只。伴随着国联万众 SiC 汽车 芯片在比亚迪汽车上批量应用，未来有望导入更多新能源车企。

  《中瓷电子(003031)深度报告：电子陶瓷+三代半导体，自主可控核心标的-浙商证券[张建民]-20250422【30页】》